硅压阻式扩散硅传感器构造与原理

硅压阻式扩散硅传感器构造与原理   硅压阻式扩散硅传感器是采用***精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的，具有较高高的测量精度、较高低的功耗和高低的成本。惠斯顿电桥的压阻式传感器，如无变化，其输出为***，几乎不耗电。
  扩散硅邵阳变压器_产品实拍图_科技系列硅联系人：周经理压阻式扩散硅传感器采用周边固定的圆形应力杯硅薄膜内壁，采用科技自主研发技术直接将四个***精密半导体应变片刻传真：0516-83057225制在其表面应力高处，组成惠斯顿测量电桥，作为力电变换测量电路，将这个物理量直接变换成电量，其测量精度能达0.25-0.5%FS。硅压阻式扩散硅传感器上下二层是玻璃体，中间是硅片，硅片中部做成***应力杯，其应力硅薄膜上部有***真空腔，使之成为一个典型的高江苏一派电气有限公司压扩散硅传感器。应力硅薄膜与真空腔接触这面经光刻生成电阻应变片电桥电路。当外面的经引压腔进入传感器应力杯中，应力硅薄膜会因受外力作用而微微向上鼓起，发生弹性变形，四个电阻应变片因此而发生电阻变化，破坏原先的惠斯顿电桥电路平衡，电桥输出电话：0516-83057225与成正比的电地址：江苏省徐州市徐海公路北侧压信号。
  扩散硅传感器的直接作用于传感器的膜片上（不锈钢或陶瓷），使膜片产生与介质成正比的微位移，使传感器的电阻值发生变化，和用电子线路检测这变化，并转换输出一个对应于这高的标准测量信号。